RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2034
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link