RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
77
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
40
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2411
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link