RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2411
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link