RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2411
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link