RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
77
Autour de -141% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2751
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link