RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
77
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
67
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1879
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link