RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
67
77
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
67
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1879
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link