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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparez
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3419
2936
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Absolute Latency
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