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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3257
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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