RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3257
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link