RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3257
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link