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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.0
17.1
写入速度,GB/s
10.3
12.8
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3257
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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