RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
17000
Autour de 1.38 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
23400
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3093
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link