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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
17000
Autour de 1.38 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
23400
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2761
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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