RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
17000
Wokół strony 1.38 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
23400
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2761
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link