RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
36
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
17000
Por volta de 1.38 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
12.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
23400
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2761
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Transcend Information TS256MLQ64V8U 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link