RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
37
Autour de 11% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
37
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3518
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link