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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB

总分
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

总分
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AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 37
    左右 11% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33% 更高的带宽
AMD R9S48G3206U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.6 left arrow 17.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 12.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 20.6
  • 写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 13.9
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2910 left arrow 3518

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
RAM 2

最新比较

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AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
内存RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
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内存RAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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