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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Inmos + 256MB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Inmos + 256MB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
16800
Autour de 1.52% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
16800
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2318
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
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