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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
16800
Rund um 1.52% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
33
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
16800
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2318
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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