Comparaison de la RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Note globale

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

33 42

Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.6 15.7

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.4 12.0

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2910 2352

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns