Confronto tra le RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

33 42

Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.6 15.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.4 12.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2910 2352

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns