RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
33
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2828
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link