RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
44
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3371
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link