RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
33
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2828
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link