RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Comparez
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Note globale
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
3154
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link