Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 42

Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 16.8
Скорость записи, Гб/сек

8.4 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 3154

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB

Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB

Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Kingston 9905624-019.A00G 8GB

Kingston 9905624-019.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM