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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

総合得点
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

総合得点
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 42
    周辺 -35% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    13.6 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 3154

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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