RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de 34% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3534
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link