RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
34
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2319
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link