RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3095
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link