RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3579
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link