RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3579
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link