RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3579
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link