Comparaison de la RAM Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Note globale

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.2 11.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Inmos + 256MB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 37

Autour de -23% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.1 8.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

16800 10600

Autour de 1.58 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2143 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns