RAM-Vergleich Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.2 11.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 37

Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.1 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

16800 10600

Rund um 1.58 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2143 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns