Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.2 11.5

Valor medio en las pruebas

Inmos + 256MB

Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 37

En -23% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.1 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

16800 10600

En 1.58 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

37 30
Velocidad de lectura, GB/s

13.2 11.5
Velocidad de escritura, GB/s

8.4 9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps

10600 16800

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2143 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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