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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
2658
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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