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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
46
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2961
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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