RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
46
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
46
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2961
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link