RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2961
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link