RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2961
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link