RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3843
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link