RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3843
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link