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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.7
18.6
写入速度,GB/s
7.5
15.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3843
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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