RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3385
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link