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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
17.4
写入速度,GB/s
7.5
14.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3385
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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