RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3385
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link