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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
44
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2374
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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