Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Unterschiede

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 44
    Rund um 36% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 7.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 8500
    Rund um 2.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 44
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 10.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 8.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1988 left arrow 2374
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche