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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
44
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
44
Velocità di lettura, GB/s
12.7
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2374
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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