RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
71
Autour de 61% latence réduite
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1902
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Jinyu 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link